三菱製紙株式会社 機能材開発事業部

 
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ファインパターン回路形成用レジストシステム

ドライフィルムの常識を越えたファイン用レジストシステム
Resolves the problems on your DFR process and enables Fine Pitch PCB


ファインパターン回路形成用レジストシステム New Resist System for Fine Pitch PCB

DFRでもっとファイン化したい!

DFRの薄層化
Need for thinner DFR

テント破れが心配
Worry about tent-break

更に薄くはできない?
Even thinner?

ラミネートが難しい!
Hard to laminate!

基材との密着性が心配
Poor contact to the board?!

これらの課題にお応えします!

Fine Resist System is the solution to those problems.

ファインレジストシステム Fine Resist System

2μmtレジスト
Resist Thickness: 2μm
レジスト膜厚最小2μmt 可能
2μmtレジスト
15μm pitch pattern (L/S=11.5/3.5μm)
テント信頼性 Tenting Reliability
テント部のみ厚膜レジストを形成
レジスト膜厚 テント部:25μmt
配線部:8μmt
Resist Thickness 25μmt (Land)
8μmt (Line)
テント信頼性
凹凸追従性
Excellent Contact to Rough Surface
凹凸テスト用基板への追従性テスト
基板凹凸 3.5μm
表層レジスト厚み 2μm
Board Roughness 3.5μm
Resist Thickness 2μm
凹凸追従性
20μm pitch pattern (Resist)
DFR
ラミネーション
Lamination
ファインレジストシステム
Fine Resist System
パターン
露光
Exposure
アルカリ
現像
Development
ファインレジストシステム
Fine Resist System
DFRラミネータ
DFR Laminator
既存ラミネータ使用可能
Conventional Laminator
ドライフィルムレジスト
Dry Film Resist
既存DFR使用可能 適用用途により専用DFR推奨
Conventional DFR usable, Newly-Developed DFR
recommended for Fine Application
専用プロセッサ
Processor
露光工程前に専用プロセッサ必要
Newly-Developed Processor needed for this System prior to
the Exposure Process
露光装置
Pattern Exposure
密着露光/直描露光ともに可能
Both Contact Exposure & Direct Imaging usable

三菱製紙株式会社 総合研究所 つくばR&Dセンター  担当 : 中川
〒300−4247 茨城県つくば市和台46  TEL 029−864−3530
E−Mail :
HP : http://www.k-mpm.com/k-new/index.html
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